近日，瑞典 Ionautics 公司宣布其全新研發的 HiPSTER 25 緊湊型高性能高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS）脈沖電源成功完成首次運行。Ionautics 成立于 2010 年，長期深耕于電離物理氣相沉積領域， HiPSTER 25提供高達 25kW 功率，不僅重新定義了行業高效運行模式，還極大提升了性能與能量效率。其采用的碳化硅（SiC）晶體管成為一大亮點。SiC 作為新型半導體材料，具備耐高溫、高頻率特性以及卓越導電性能。相較于傳統硅基材料，它能夠承受更高工作溫度，擁有更快開關速度，這大幅提升了能量效率與工藝穩定性，有效減少了能量損失和熱管理難題，提供靈活且穩定的鍍膜過程，有力確保了鍍膜質量的一致性 。

HiPSTER 25 雙極模式

HiPSTER 25搭載的雙極HiPIMS技術，無需基底偏壓即可實現離子加速，簡化工藝步驟，提升鍍膜質量與均勻性。通過精確調控離子能量和方向，它能在各類基材上形成光滑致密的涂層，顯著增強產品耐磨性、耐腐蝕性和光學性能。此外，該設備集成豐富的工藝參數調整選項，用戶可按需精細調節氣體流量、放電電壓和脈沖頻率等，無論是硬質涂層、光學鍍膜還是電氣涂層，都能實現良好效果。其外部觸發多個電源的功能，更為復雜的多層鍍膜和復合結構鍍膜創造了可能。

新型開關技術的應用，讓 HiPSTER 25的HiPIMS脈沖頻率達到150kHz，高頻脈沖不僅提升鍍膜效率，還能促進薄膜均勻致密沉積，尤其在處理復雜三維結構時優勢顯著。增強的脈沖控制功能，可精準調節脈沖形狀、寬度和能量分布，成為研發新型材料和優化現有工藝的得力工具。

HiPSTER 25 優勢

為進一步保障鍍膜質量，HiPSTER 25集成了Ionautics的反應過程控制系統。該系統實時監測和調節鍍膜化學反應，精確控制鍍膜成分與結構，減少缺陷和雜質，提升鍍膜穩定性和沉積率。經過廣泛測試和優化，HiPSTER 25在反應式 HiPIMS 及其他各類磁控管工藝中均表現優異。

從具體性能參數來看，HiPSTER 25輸出平均功率小于 25KW，支持電壓、電流、功率等多種調節模式，脈沖電流電弧控制反應時間小于2μs；輸入電壓靈活適配100-240VAC，支持RS 232、RS 485等多種遠程通信方式。無論是單極模式下的高電壓大電流輸出，還是可選的雙極模式和脈沖模式直流，都能滿足多樣化的工藝需求。

廣泛應用范圍

HiPSTER 25的應用場景廣泛。在擴散屏障和電氣涂層制備中，它能增加涂層密度，提升擴散屏障阻隔性能，防止材料相互滲透；通過優化涂層厚度和熱負荷，提高導電材料導電性與絕緣體隔離效果，為電子封裝和電力傳輸提供高效方案。在航空航天、醫療器械和汽車制造等對三維涂層要求嚴苛的行業，HiPSTER 25憑借出色的鍍膜均勻性，可在復雜形狀基材上實現薄膜均勻覆蓋，助力高端制造升級。

瑞典Ionautics以推動行業進步為使命，未來，我們將繼續深耕HiPIMS技術領域，以HiPSTER 25為新起點，持續優化產品性能，拓展應用邊界。同時，我們希望通過HiPSTER 25搭建與全球客戶緊密合作的橋梁，共同探索離子鍍膜技術。

免責聲明：市場有風險，選擇需謹慎！此文僅供參考，不作買賣依據。

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