導讀：本文主要介紹半導體二極管及基本電路,這是學好模擬電路的關鍵所在，希望這些對親們有所幫助哦!!!!

根據物體導電能力(電阻率)的不同，劃分為導體、絕緣體和半導體。典型的半導體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。

半導體的共價鍵結構

硅和鍺是四價元素，在原子最外層軌道上的四個電子稱為價電子。它們分別與周圍的四個原子的價電子形成共價鍵。原子按一定規律整齊排列，形成晶體點陣后，結構圖為:

本征半導體、空穴及其導電作用

本征半導體----完全純凈的、結構完整的半導體晶體。

當T=0K和無外界激發時，導體中沒有載流子，不導電。當溫度升高或受到光的照射時，價電子能量越高，有的價電子可以掙脫原子核的束縛，而參與導電，成為自由電子，這個過程就叫做本征激發。

自由電子產生的同時，在其原來的共價鍵中就出現了一個空位，這個空位為空穴。因熱激發而出現的自由電子和空穴是同時成對出現的，稱為電子空穴對。

N型半導體(電子型半導體)

在本征半導體中摻入五價的元素(磷、砷、銻)

P型半導體(空穴型半導體)

在本征半導體中摻入三價的元素(硼)

PN結的形成

在一塊本征半導體兩側通過擴散不同的雜質，分別形成N型半導體和P型半導體。PN結的形成過程為

PN結的單向導電性

PN結的單向導電性就是指PN結正向電阻小，反向電阻大。

(1)PN結加正向電壓

外加的正向電壓，方向與PN結內電場方向相反，削弱了內電場。于是，內電場對多子擴散運動的阻礙減弱，擴散電流加大。擴散電流遠大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響，PN結呈現低阻型。

(2)PN結加反向電壓

外加的反向電壓，方向與PN結內電場方向相同，加強了內電場。于是，內電場對多子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。此時漂移電流大于擴散電流，可忽略擴散電流，PN結呈現高阻型。

二極管：一個PN結就是一個二極管。

電路符號：

半導體二極管的伏安特性曲線

(1)正向特性曲線

正向區分為兩段：

當0

當V>Vth時，開始出現正向電流，并按指數規律增長。

(2)反向特性曲線

反向區也有兩個區域：

當VBR

當V>VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。

(3)反向擊穿特性

硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡、反向飽和電流也很小;鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。

若|VBR|>7Vs時，主要是雪崩擊穿;若|VBR|<4V時，則主要是齊納擊穿。

1.理想模型

正向偏置時：管壓降為0，電阻也為0.

反向偏置時：電流為0，電阻為無窮大。

2.恒壓降模型

當ID>1mA時，VD=0.7V。

3.折線模型(實際模型)

以上就是小編為大家介紹的模擬電路的基礎知識了，如果您想深入學習模擬電路的知識的話，請您參考一下幾篇文章

1.二極管工作原理

2.場效應管工作原理- -場效應管工作原理也瘋狂

3. 模擬集成電路走上復蘇路

關鍵詞： 模擬電路 模擬電路基礎