案例聚焦新一代替代硅技術

氮化鎵（GaN）技術的全球領導者宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯邦法院和美國國際貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎專利組合中的四項專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統稱英諾賽科）侵犯。 這些專利涉及宜普公司獨家的增強型氮化鎵功率半導體器件的設計與制造工藝的核心環節，且這些創新技術專利已成功將基于氮化鎵的功率器件從一個研究項目，發展成為一個可大批量生產的替代硅產品。使用氮化鎵器件的晶體管和集成電路，較使用硅基器件而言更高效，更輕巧且成本更低。

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宜普公司位于美國加利福尼亞州的埃爾塞貢多（El Segundo），將氮化鎵從科學探索轉變為一種被廣泛接受的技術，并提高了能源使用效率。宜普公司于 2010 年開始制造第一批大規模生產的商用氮化鎵晶體管和集成電路。 自此，該公司成為業內公認的氮化鎵產品和服務的領導者。

在本次所提交的起訴狀中，宜普公司詳述了總部位于中國廣東的英諾賽科公司招募兩名宜普公司員工并擔任其首席技術官和銷售及市場主管的相關細節。 兩人入職后不久，英諾賽科便推出了一套與宜普公司明顯相同的產品，并自稱其產品在關鍵性能指標上的表現與宜普公司產品幾乎相同。近期，英諾賽科又宣稱其許多產品與市場上現有產品（包括宜普公司的產品）“完全兼容"。此外，英諾賽科還策劃了大膽而積極的營銷活動，向宜普公司的客戶推銷其產品套件。

宜普公司聯合創始人兼首席執行官 Alex Lidow 博士表示，“我一直堅信公平合作是全球科技市場的根基。只有通過合作，我們才能釋放氮化鎵技術的潛力，支持世界能源安全，并助力可持續發展目標的實現。 而對知識產權的有力保護和充分尊重，是相互信任和公平合作的必要條件。”

“我相信，通過此次果斷的行動，我們將找到一個公平合理的解決方案，為氮化鎵這一關鍵新興技術的所有參與者，提供一個公平的競爭環境，并確保氮化鎵產業生態的良好運作，” Lidow 博士補充道。

宜普公司向聯邦法院和美國國際貿易委員會起訴英諾賽科公司專利侵權、尋求損害賠償，并希望能夠禁止英諾賽科公司將其構成侵權的氮化鎵產品套件進口至美國。

取代硅： 氮化鎵與電力轉換的未來

氮化鎵（GaN）是下一代電源轉換技術，有望在未來十年內取代硅基功率半導體。與硅基半導體相比，氮化鎵是更小、更高效、更可靠，并能以更低的成本表現出更良好的性能。其應用范圍從計算、汽車、太陽能、機器人、無人機、醫療電子和激光雷達到日常產品，如手機、音響設備、智能電器、電動工具、快速充電器和電動自行車。

氮化鎵技術有望將全球能源效率提高 15-20%，這將有助于降低能源成本、減少有害排放，并支持美國的能源安全和可持續發展目標。專家預測，在未來兩到三年內，氮化鎵市場將達到數十億美元的規模，并在未來十年內達到約數百億美元的峰值。

宜普電源轉換公司

宜普電源轉換公司是全球氮化鎵技術和產品的領導者。這一領先地位基于其卓越的技術：宜普公司于 2010 年推出了首款氮化鎵產品，目前擁有 57 項美國專利和 172 項全球專利。宜普公司現有100 多種集成電路（Integrated Circuits, ICs）和分立晶體管，可隨時交付，產品性能也一直優于競爭對手。

宜普公司的聯合創始人兼首席執行官 Alex Lidow 博士被公認為是現代電力轉換行業的創始人之一， 其名 下擁有 21 項 半 導 體 技 術 專 利。Lidow 博 士的職 業 生 涯 始 于 國 際 整 流 器 公 司（International Rectifier Corporation, IR），他曾在該公司任研發副總裁，后于 1995-2007 年擔任首席執行官。此外，他也曾代表美國半導體行業協會（International Rectifier Corporation,SIA）參加了促成1986年美日半導體協議的貿易談判，并多次代表半導體行業向國會作證。2015年，他憑借將更高效的功率器件商業化，獲北美SEMI 獎，并在2019年入選IEEE名人堂。Lidow博士最為出名的經歷是作為 HEXFET 功率 MOSFET 的共同發明者。該技術使全球能源效率提高了30%，并創造了價值 400 億美元的全球市場。目前， Lidow 博士和宜普公司準備通過氮化鎵技術，替代他在 40 多年前創造的技術。

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